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  • 晶圆减薄 Si Wafer BackGrinding
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  • 晶圆减薄 Si Wafer BackGrinding

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商品描述



  • 晶圆减薄最大直径300mm

  • 研磨减薄可减至最薄厚度为50μm,精度3~5μm

  • 研磨工艺表面为100nm级别

。

。

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