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抛光单晶硅片的尺寸规格和参数汇总
来源: | 作者:id1506174 | 发布时间: 2023-04-03 | 13596 次浏览 | 分享到:

抛光单晶硅片在半导体工业中被广泛用于微电子器件的制造,如集成电路、微处理器和传感器。抛光单晶硅片的规格因预期用途和具体应用而异,一些常见的规格包括:


1.直径(Diameter):

半导体单晶硅片根据尺寸分类,硅片的尺寸以直径计算主要有:

直径大小(mm): 


2inch/50.8mm

3inch/76.2mm

4inch/100mm

5inch/125mm

6inch/150mm

8inch/200mm

12inch/300mm

18inch/450mm


表面要求(Finish): 

单面抛光SSP / 双面抛光DSP

2.导电类型/掺杂剂(Type/Dopant):

(1)N型半导体:本征半导体中掺入杂质原子后,如果杂质原子的价电子在与周围原有半导体原子中的价电子形成共价键后,还存在多余的无共价键束缚的价电子,使得半导体内电子浓度高于空穴浓度,则此类半导体称为N型半导体或电子型半导体。如在Si半导体中掺入N、P、As、Sb等五价杂质元素。

(2)P型半导体:本征半导体中掺入杂质原子后,如果杂质原子的价电子在与周围原有半导体原子中的价电子形成共价键时,缺少至少一个价电子无法成键,使得半导体内空穴浓度高于电子浓度,则此类半导体称为P型半导体或空穴型半导体。如在Si半导体中掺入B、Ga、In等三价杂质元素。

3.电阻率(Resistivity):

电阻率是反映导电性能好坏的物理量。电阻率小,导电性能好;电阻率大,导电性能差。电阻率的大小是由材料本身的性质决定的,而同一种材料的电阻率又随温度的变化而变化,一般情况下温度高,电阻率大。

4.晶向(Orientation):

晶圆的晶向是指硅晶格的晶体学取向,可以用米勒指数如(100)(110)(111)来指定。晶体中不同的晶向,常常具有不同的线密度等不同属性。


图 1晶硅片常用晶向(100)(110)(111)


5.定位边(Flat/Notch): 

硅片圆周上的一个平边(Flat)或V口(Notch),作为晶向定位的依据;一般不同直径硅片对应不同的Flat长度标准或Notch,定位边分主定位边(Primary Flat)和副定位边(Secondary Flat)。

图 2 Flat Type和Notch Type


图 3主、副定位边图

In each case in this figure, the wafer is being viewed from the front surface.  中的情况都是从硅片的正面察的。


Notch尺寸


6.厚度(Thickness):

晶圆的厚度通常以微米为单位指定,常见厚度范围从100μm到1000μm。

7.表面粗糙度(Surface roughness):

晶圆的表面粗糙度是决定晶圆质量的重要参数,通常以根平方(RMS)粗糙度(以nm为单位)来指定。

8.总厚度变化(TTV):

总厚度变化是指在晶圆表面的多个点上测量的最大和最小厚度之间的差值,通常以μm为单位指定。

9.弯曲度(Bow):

弯曲度是指晶圆表面与平面之间的偏差,通常以μm为单位指定。

10.翘曲度(Warp):

翘曲度是指晶圆表面与球形之间的偏差,通常以μm为单位指定。

11.边缘轮廓(Edge profile):

晶圆的边缘轮廓对晶圆的处理和加工很重要,通常用边缘排除区域(EEZ)来指定,即离晶圆边缘不允许处理的距离。

12.颗粒度(Particle count):

晶圆表面的颗粒数量和大小分布可以影响微电子器件的性能,通常以单位面积内的颗粒计数来指定,如大于0.3μm的颗粒数。



附:抛光单晶硅片的各种尺寸规格